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磁控溅射系统NSC-4000 (M)
基板支持加热(最高可达800°C)或冷却支持旋转GLAD斜角入射沉积腔体尺寸可定制1.5-5KW脉冲之流电源用于ITO/ZnO等类似材料 NANO-MASTER的溅射系统可构建成多腔体和多
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NSC-4000 (A) 全自动磁控溅射系统
RF、DC溅射热蒸镀能力RF或DC偏压(1000V)样品台可加热到700°C膜厚监测仪基片的RF射频等离子清洗 NSC-4000(A)全自动磁控溅射系统概述:带有水冷或者加热(最高可加热到
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德国应用光谱Plasma Emission Messurement System白光干涉膜厚仪
等离子体发射测量在紫外线…近红外线范围可同时观察到等离子发射低压等离子沉积技术是一个客观的连续不断的过程,如PVD(物理气象沉积)是今天真正的问题之一。除了等离子体发射光的表观检查,有时也使用
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多功能薄膜制备系统-Nano PVD
团队的具体需求,经过不懈努力推出了台式高性能多功能PVD薄膜制备系列产品。该系列产品是为高水平学术研究研发的小型物理气相沉积设备。推出之后短短几年时间已经在欧洲销售了数十台,该系列产品包含了磁控溅射
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NPE-4000 (ICPM) 等离子增强化学气相沉积系统
立式ICPECVD系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrICP离子源高达12”(300mm)直径的样品台 该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子,具有分形气流分布的
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NPE-4000 (M) 等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-4000(M) PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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VSParticle 纳米粒子发生器
的检测中,标准基片表现出了优异的信号增强性能。气体传感器 金属氧化物 (MOX) 气体传感器通过半导体金属氧化物薄膜的电阻变化来检测气体,但氧化物涂层需要温和的沉积,故而常用的 PVD 与 CVD
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NSC1000-NSC10000PEG浓缩脱水装置
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ETD-900M磁控溅射仪
离子溅射仪外观亮丽做工精致磁控溅射是物理气相沉积的一种。ETD-900M 型离子溅射仪外观亮丽做工精致磁控溅射是物理气相沉积的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料,且具有设备
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NPE-4000 (ICPA) 全自动等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-4000(ICPA)全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC
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